半導体装置およびその製造方法

摘要

半導体装置（１００Ａ）は、基板（１）と、基板（１）の上に形成されたゲート電極（３）および第１透明電極（２）と、ゲート電極（３）および第１透明電極（２）の上に形成された第１の絶縁層（４）と、第１の絶縁層（４）の上に形成された酸化物半導体層（５）と、酸化物半導体層（５）に電気的に接続されたソース電極（６ｓ）およびドレイン電極（６ｄ）と、ドレイン電極（６ｄ）と電気的に接続された第２透明電極（７）とを有する。第１透明電極（２）の少なくとも一部は、第１の絶縁層（４）を介して第２透明電極（７）と重なっている。酸化物半導体層（５）および第２透明電極（７）は、同一の酸化物膜から形成されている。