高周波半導体装置およびその製造方法

摘要

半導体基板の一方の面に、当該一方の面の側から順に、第１絶縁層、柱状結晶状のノンドープのエピタキシャル・ポリシリコン層、第２絶縁層、および、半導体層が形成され、前記第２絶縁層を介して前記ノンドープのエピタキシャル・ポリシリコン層に臨む前記半導体層の位置に、高周波トランジスタが形成されている、高周波半導体装置。