| 摘要 |
<p>第１の電極（１０３）と、第２の電極（１０５）と、抵抗変化層（１０４）とを備え、抵抗変化層（１０４）は、周囲の領域に比べて酸素不足度の大きい微小領域（１０６）を有し、不揮発性記憶素子（１００）のデータ読み出し方法は、第１の電極（１０３）及び第２の電極（１０５）間に、第１の電圧パルス及び第２の電圧パルスよりも電圧値の絶対値が小さい第３の電圧パルスを印加するステップと、第３の電圧パルスを印加するステップの後に、第１の電極（１０３）及び第２の電極（１０５）間に、第１の電圧パルス及び第２の電圧パルスよりも電圧値の絶対値が小さい第４の電圧パルスを印加して、抵抗変化層（１０４）の抵抗状態を読み出すステップとを含む。</p> |
