发明名称 СПОСОБ РЕГУЛИРОВАНИЯ ТОЛЩИНЫ ПЛЕНКИ ОКСИДА КРЕМНИЯ
摘要 1. Способ нанесения покрытия на субстрат, включающий:приготовление химического раствора для осаждения;помещение множества субстратов на носитель, где носитель разделяет нижние части субстратов первым заданным зазором, и носитель разделяет верхние части субстратов вторым заданным зазором;размещение носителя с множеством субстратов в химическом растворе в течение заданного периода времени, где на субстраты осаждаются пленки, имеющие толщину, соответствующую расстоянию разнесения между субстратами; иизвлечение носителя с множеством субстратов из химического раствора.2. Способ по п.1, отличающийся тем, что первый заданный зазор и второй заданный зазор разделяют первую поверхность множества субстратов, и первый заданный зазор и второй заданный зазор равны.3. Способ по п.2, дополнительно включающий разделение второй поверхности множества субстратов, находящейся напротив первой поверхности, третьи заданным зазором, причем третий заданный зазор больше, чем первый и второй заданные зазоры.4. Способ по п.3, отличающийся тем, что первый и второй заданные зазоры равны или меньше 0,5 мм.5. Способ по п.3, отличающийся тем, что третий заданный зазор равен или больше 0,5 мм.6. Способ по п.1, отличающийся тем, что второй заданный зазор больше, чем первый заданный зазор, и образует V-образное расположение.7. Способ по п.6, отличающийся тем, что первый заданный зазор приблизительно равен нулю, а второй заданный зазор равен или меньше 0,5 мм.8. Способ по п.1, отличающийся тем, что химический раствор включает гексафторкремниевую кислоту (HSiF).9. Способ по п.1, отличающийся тем, что множество субстратов представляют собой кремниевые пластины.10. С�
申请公布号 RU2013145617(A) 申请公布日期 2015.05.10
申请号 RU20130145617 申请日期 2012.03.29
申请人 НАТКОР ТЕКНОЛОДЖИ, ИНК. 发明人 ЧЖАН Юаньчан
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人
主权项
地址