| 摘要 |
<p>Dans un capteur d'image, on modifie la capacité effective du nœud de stockage NS du pixel, qui mémorise les charges (les électrons) collectées par l'élément photosensible du pixel, grâce à une boucle de contre-réaction 100 qui agit sur l'alimentation VREFP du transistor suiveur T3 relié au nœud de stockage, de telle manière que la capacité apparente du nœud de stockage dépende du gain GL de la boucle. En modifiant le gain, on modifie la capacité du nœud de stockage et donc le facteur de conversion charge-tension qui est inversement proportionnel à cette capacité.</p> |
