光電変換素子及びその製造方法

摘要

安価な手法で膜厚方向へのモルフォロジが制御された光電変換層を具備し、高い光電変換効率を示し優れた光電変換性能を有する光電変換素子を提供する。光電変換素子１は、基板７上で、ｎ型有機半導体４とｐ型高分子半導体の結晶部２及び非晶部３とを含有する光電変換層５が正極と負極との電極層６の間に挟まれており、前記光電変換層５の断面のモルフォロジ画像をフーリエ変換した画像の、前記基板７に垂直な方向に対応するラインプロファイルをガウス関数でフィッティングした半値幅Ｘと、前記基板７に水平な方向に対応するラインプロファイルをガウス関数でフィッティングした半値幅Ｙとの関係が、０．１≰Ｙ／Ｘ≰０．７を示すものである。