| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Entfernen von Ablagerungen an den Wänden/ Oberflächen einer Prozesskammer eines CVD-Reaktors, insbesondere von den SiC-beschichteten Graphit-Oberflächen, wobei die Prozesskammer auf eine Reinigungstemperatur aufgeheizt wird und ein insbesondere ein Element der VII-Hauptgruppe enthaltendes Reinigungsgas für eine Reinigungszeit in die Prozesskammer eingeleitet wird. Zur Verbesserung bzw. zur Ermöglichung der Reinigung einer Prozesskammer, wird vorgeschlagen, dass vor dem Einleiten des Reinigungsgases die zu reinigenden Wände/ Oberflächen mit einem Metall, insbesondere Aluminium, benetzt werden.</p> |
