Kristalline Mehrfach-Nanosheet-III-V-Kanal-FETs und Verfahren zu deren Herstellung

摘要

Ein Feldeffekttransistor umfasst eine Körperschicht, die darin einen kristallinen Halbleiterkanalbereich umfasst, und einen Gatestapel auf dem Kanalbereich. Der Gatestapel umfasst eine kristalline Halbleiter-Gateschicht und eine kristalline Halbleiter-Gatedielektrikumschicht zwischen der Gateschicht und dem Kanalbereich. Diesbezügliche Vorrichtungen und Herstellungsverfahren werden ebenfalls besprochen.