发明名称 パワー半導体装置
摘要 【課題】製造時におけるはんだの這い上がりを抑制可能な技術を提供することを目的とする。【解決手段】パワー半導体装置は、下面がリード1aの他端側上に接合されたパワー半導体チップ2と、パワー半導体チップ2の上面電極2a上に導電性部材3bを介して接合された第1接合部4aと、リード1bの他端側上に導電性部材3cを介して接合された第2接合部4bと、これらを連接する胴体部4cとを有するインナーリード4とを備える。第1接合部4aが胴体部4cよりも厚く形成されたことによって、第1接合部4aの下端が胴体部4cの下端よりも下側に位置する。【選択図】図1
申请公布号 JP5714157(B1) 申请公布日期 2015.05.07
申请号 JP20140087856 申请日期 2014.04.22
申请人 三菱電機株式会社 发明人 深瀬 達也;加藤 政紀;仁科 友宏;梶原 孝信;藤田 暢彦;中島 泰
分类号 H01L21/60;H01L23/48 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
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