发明名称 |
IGZO基氧化物材料和制备IGZO基氧化物材料的方法 |
摘要 |
本发明提供IGZO基氧化物材料和制备IGZO基氧化物材料的方法,所述IGZO基氧化物材料由组成式In<sub>2-x</sub>Ga<sub>x</sub>ZnO<sub>4-δ</sub>表示,其中0.75<x<1.10并且0<δ≤1.29161×exp(-x/0.11802)+0.00153,并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>的晶体结构的IGZO的单相形成。 |
申请公布号 |
CN101930805B |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201010209336.0 |
申请日期 |
2010.06.21 |
申请人 |
富士胶片株式会社 |
发明人 |
梅田贤一;铃木真之;田中淳 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01B1/08(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
陈平 |
主权项 |
一种IGZO基氧化物材料,所述IGZO基氧化物材料由组成式In<sub>2‑x</sub>Ga<sub>x</sub>ZnO<sub>4‑δ</sub>表示,其中0.75<x<1.10并且0<δ≤1.29161×exp(‑x/0.11802)+0.00153,其中δ表示氧空位量,并且所述IGZO基氧化物材料由具有YbFe<sub>2</sub>O<sub>4</sub>的晶体结构的IGZO的单相形成,其中所述IGZO基氧化物材料的电阻率的值为1×10<sup>2</sup>Ω·cm至1×10<sup>9</sup>Ω·cm。 |
地址 |
日本国东京都 |