半导体设备的制造方法

摘要

一种用于制造具有冷却机构（61）的半导体设备（10）的制造方法，包含：通过将激光（L）聚光于由硅所形成的板状的加工对象物（1），从而在加工对象物（1）的内部以沿着改质区域形成预定线（5）延伸的方式形成改质区域（7）的改质区域形成工序；在改质区域形成工序之后，通过对加工对象物（1）实施各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着改质区域（7）选择性地进展，将用于流通冷却介质（61）的流路作为冷却机构（61）形成于加工对象物（1）的内部的蚀刻处理工序；及在加工对象物（1）的一个主面侧形成功能元件的功能元件形成工序。

主权项

一种半导体设备的制造方法，其特征在于，是用于制造具有冷却机构的半导体设备的制造方法，包含：通过将激光聚光于由硅所形成的板状的加工对象物，从而在所述加工对象物的内部以沿着改质区域形成预定线延伸的方式形成改质区域的改质区域形成工序；在所述改质区域形成工序之后，通过对所述加工对象物实施各向异性蚀刻处理，从而使蚀刻沿着所述改质区域选择性地进展，将用于流通冷却介质的流路作为所述冷却机构形成于所述加工对象物的内部的蚀刻处理工序；及通过对要形成所述冷却机构或者已形成了所述冷却机构的所述加工对象物进行氧化膜的形成、光致抗蚀剂的形成、光刻法处理、离子的注入、以及导通部的形成，从而在所述加工对象物的一个主面侧形成功能元件的功能元件形成工序。