发明名称 指数补偿带隙基准电压源
摘要 本发明公开了一种指数补偿带隙基准电压源。其包括指数补偿带隙基准电路,用于产生与温度无关的基准电压,指数补偿带隙基准电路包括电流镜电路、带隙主体电路、第一电阻、第二电阻和第三电阻。电流镜电路具有输出端和至少一个输入端。带隙主体电路包括第一NPN晶体管、第二NPN晶体管、第一运算放大器以及第二运算放大器。第一运算放大器以及第二运算放大器耦接至输出端,第一NPN晶体管耦接至第一运算放大器,第二NPN晶体管耦接至第二运算放大器。第一电阻耦接至第一运算放大器。第二电阻耦接至第二NPN晶体管。第三电阻的一端连接输出端,另一端接地。本发明的指数补偿带隙基准电压源能够提高基准电压的稳定性,不需要额外增加补偿电路。
申请公布号 CN102981546B 申请公布日期 2015.05.06
申请号 CN201210483293.4 申请日期 2012.11.23
申请人 国民技术股份有限公司 发明人 赵辉;沈晔;庄奕琪;汤华莲;刘俊逸
分类号 G05F1/567(2006.01)I 主分类号 G05F1/567(2006.01)I
代理机构 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 代理人 何青瓦
主权项 一种指数补偿带隙基准电压源,其特征在于,所述指数补偿带隙基准电压源包括指数补偿带隙基准电路,用于产生与温度无关的基准电压,所述指数补偿带隙基准电路包括:电流镜电路,包括输出端以及至少一个输入端;带隙主体电路,包括第一NPN晶体管Q1、第二NPN晶体管Q2、第一运算放大器A1以及第二运算放大器A2,所述第一运算放大器A1以及所述第二运算放大器A2耦接至所述电流镜电路,所述第一NPN晶体管Q1耦接至所述第一运算放大器A1,所述第二NPN晶体管Q2耦接至所述第二运算放大器A2;第一电阻R1,所述第一电阻R1耦接至所述第一运算放大器A1;第二电阻R2,所述第二电阻R2耦接至所述第二NPN晶体管Q2;第三电阻R3,所述第三电阻R3的一端连接所述输出端,所述第三电阻R3的另一端接地;其中,所述第一NPN晶体管Q1的基极连接所述第二NPN晶体管Q2的基极以及所述第一运算放大器A1的反相输入端,所述第一NPN晶体管Q1的集电极连接所述第一运算放大器A1的同相输入端以及所述第二运算放大器A2的反相输入端,所述第一NPN晶体管Q1的发射极接地,所述第二NPN晶体管Q2的集电极连接所述第二运算放大器A2的同相输入端;所述第一电阻R1的一端连接所述第一运算放大器A1的反相输入端以及所述电流镜电路的一个输入端,所述第一电阻R1的另一端接地,所述第一NPN晶体管Q1和所述第二NPN晶体管Q2基极节点处的电压与所述第一NPN晶体管Q1的集电极以及所述第二NPN晶体管Q2的集电极电压相等;所述第二电阻R2的一端连接所述第二NPN晶体管Q2的发射极,所述第二电阻R2的另一端接地。
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