发明名称 |
指数补偿带隙基准电压源 |
摘要 |
本发明公开了一种指数补偿带隙基准电压源。其包括指数补偿带隙基准电路,用于产生与温度无关的基准电压,指数补偿带隙基准电路包括电流镜电路、带隙主体电路、第一电阻、第二电阻和第三电阻。电流镜电路具有输出端和至少一个输入端。带隙主体电路包括第一NPN晶体管、第二NPN晶体管、第一运算放大器以及第二运算放大器。第一运算放大器以及第二运算放大器耦接至输出端,第一NPN晶体管耦接至第一运算放大器,第二NPN晶体管耦接至第二运算放大器。第一电阻耦接至第一运算放大器。第二电阻耦接至第二NPN晶体管。第三电阻的一端连接输出端,另一端接地。本发明的指数补偿带隙基准电压源能够提高基准电压的稳定性,不需要额外增加补偿电路。 |
申请公布号 |
CN102981546B |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201210483293.4 |
申请日期 |
2012.11.23 |
申请人 |
国民技术股份有限公司 |
发明人 |
赵辉;沈晔;庄奕琪;汤华莲;刘俊逸 |
分类号 |
G05F1/567(2006.01)I |
主分类号 |
G05F1/567(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 |
代理人 |
何青瓦 |
主权项 |
一种指数补偿带隙基准电压源,其特征在于,所述指数补偿带隙基准电压源包括指数补偿带隙基准电路,用于产生与温度无关的基准电压,所述指数补偿带隙基准电路包括:电流镜电路,包括输出端以及至少一个输入端;带隙主体电路,包括第一NPN晶体管Q1、第二NPN晶体管Q2、第一运算放大器A1以及第二运算放大器A2,所述第一运算放大器A1以及所述第二运算放大器A2耦接至所述电流镜电路,所述第一NPN晶体管Q1耦接至所述第一运算放大器A1,所述第二NPN晶体管Q2耦接至所述第二运算放大器A2;第一电阻R1,所述第一电阻R1耦接至所述第一运算放大器A1;第二电阻R2,所述第二电阻R2耦接至所述第二NPN晶体管Q2;第三电阻R3,所述第三电阻R3的一端连接所述输出端,所述第三电阻R3的另一端接地;其中,所述第一NPN晶体管Q1的基极连接所述第二NPN晶体管Q2的基极以及所述第一运算放大器A1的反相输入端,所述第一NPN晶体管Q1的集电极连接所述第一运算放大器A1的同相输入端以及所述第二运算放大器A2的反相输入端,所述第一NPN晶体管Q1的发射极接地,所述第二NPN晶体管Q2的集电极连接所述第二运算放大器A2的同相输入端;所述第一电阻R1的一端连接所述第一运算放大器A1的反相输入端以及所述电流镜电路的一个输入端,所述第一电阻R1的另一端接地,所述第一NPN晶体管Q1和所述第二NPN晶体管Q2基极节点处的电压与所述第一NPN晶体管Q1的集电极以及所述第二NPN晶体管Q2的集电极电压相等;所述第二电阻R2的一端连接所述第二NPN晶体管Q2的发射极,所述第二电阻R2的另一端接地。 |
地址 |
518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园区深圳软件园3栋301、302 |