| 发明名称 | 化学机械抛光组合物以及用于抑制多晶硅移除速率的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了适用于抛光含氮化硅的基材同时抑制多晶硅从该基材移除的化学机械抛光(CMP)组合物。该组合物包含悬浮于含表面活性剂的酸性含水载体中的研磨剂颗粒，所述表面活性剂包括炔二醇、炔二醇乙氧基化物、或它们的组合。本发明还公开以该化学机械抛光组合物抛光半导体基材的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN102482555B | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201080037234.3 | 申请日期 | 2010.06.18 |
| 申请人 | 嘉柏微电子材料股份公司 | 发明人 | K.摩根伯格;W.沃德;M.S.蔡;F.德里格塞萨索罗 |
| 分类号 | C09K3/14(2006.01)I;H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | C09K3/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 宋莉 |
| 主权项 | 抛光半导体基材以从该基材表面优先于多晶硅移除氮化硅的方法，该方法包括用CMP组合物研磨含氮化硅及多晶硅的基材的表面，该CMP组合物包含0.01至15重量％的悬浮于含有10至10000ppm表面活性剂的含水载体中的研磨剂颗粒，所述表面活性剂包括炔二醇、炔二醇乙氧基化物、或它们的组合。 | ||
| 地址 | 美国伊利诺伊州 | ||