一种由分割计算圆柱型谐振腔Q_t值来确定沉积台的方法

摘要

本发明涉及一种由分割计算圆柱型谐振腔Q_t值来确定沉积台的方法，方法步骤包括：(1)在圆柱型谐振腔模型中建立轴坐标，确定旋度方程；(2)将谐振腔内部的空间进行划分；(3)分块计算类品质因数Q_t；(4)谐振腔内部等离子区具体位置的确定；(5)沉积台位置的确定。本发明准确的判断圆柱型谐振腔内部的电场强度的分布情况，反映出谐振腔内等离子体区域的具体形状，合理设计沉积台的位置，利于金刚石的膜生长。

主权项

一种由分割计算圆柱型谐振腔Q_t值来确定沉积台的方法，其特征在于方法步骤如下：(1)在圆柱型谐振腔模型中建立轴坐标，确定旋度方程；其中，轴坐标的轴线z与圆柱型谐振腔的中轴重合，z轴的零点为圆柱型谐振腔底面的圆心，在应用轴坐标的情况下，圆柱型谐振腔内磁场强度H和电场强度E的旋度方程为：在上式中：H为磁场强度，E为电场强度，r为圆柱型谐振腔的半径，ε为电常数，μ为磁常数；(2)将谐振腔内部的空间进行划分；具体划分方法为：以坐标z轴的零点为基准点，等比例增加高度以及圆柱形的半径，将腔体分割成一系列不同高度和半径的同轴圆柱体；(3)分块计算类品质因数Q_t；根据上述步骤(2)划分的空间，分块计算类品质因数Q_t，计算公式如下：在上式中，分子为每一个划分的小圆柱体内电场强度E的平方和，分母为整个谐振腔内部的全部空间电场强度的平方和，通过不同区域类品质因数Q_ti值的变化，清楚的描绘出在谐振腔内部的电场强弱的分布；(4)谐振腔内部等离子区具体位置的确定；在划分的某两个连续区域之间，当Q_ti值发生明显过渡，则两区域的边界线做为等离子区的划分线，对于圆柱型谐振腔，在靠近谐振腔底部位置，电场强度大的一侧区域即为等离子区；(5)沉积台位置的确定；利用步骤(4)得出等离子区的位置后，根据等离子区的高度设计沉积台的高度，等离子区的下部区分线即为沉积台的高度，等离子区的宽度即为沉积台的宽度。