| 发明名称 | 半导体结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成体区；在所述体区内形成漂移区，所述漂移区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相反；在所述体区内形成沟道区，所述沟道区部分向所述漂移区所在的方向延伸，形成至少一个沟道延伸区，所述至少一个沟道延伸区与所述漂移区之间形成交叉指状分布，所述沟道区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；在所述漂移区内形成隔离区，所述至少一个沟道延伸区的端部位于所述隔离区的下方；在所述半导体衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构一侧的沟道区内形成源区，在所述漂移区内形成漏区，所述漏区位于所述隔离区远离所述沟道区的一侧。 | ||
| 申请公布号 | CN104599974A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201510078210.7 | 申请日期 | 2015.02.13 |
| 申请人 | 杰华特微电子（杭州）有限公司 | 发明人 | 陆阳;黄必亮;周逊伟 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州裕阳专利事务所(普通合伙) 33221 | 代理人 | 应圣义 |
| 主权项 | 一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底内形成体区；在所述体区内形成漂移区，所述漂移区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相反；在所述体区内形成沟道区，所述沟道区部分向所述漂移区所在的方向延伸，形成至少一个沟道延伸区，所述至少一个沟道延伸区与所述漂移区之间形成交叉指状分布，所述沟道区的掺杂类型与所述体区的掺杂类型相同；在所述漂移区内形成隔离区，所述至少一个沟道延伸区的端部位于所述隔离区的下方；在所述半导体衬底表面形成栅极结构；在所述栅极结构一侧的沟道区内形成源区，在所述漂移区内形成漏区，所述漏区位于所述隔离区远离所述沟道区的一侧。 | ||
| 地址 | 311121 浙江省杭州市余杭区仓前街道文一西路1500号1幢424室 | ||