| 发明名称 | 半导体器件及其制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件及其制作方法，所述半导体器件的制作方法至少包括：提供硅衬底，所述硅衬底包括第一表面和与之相对的第二表面；在所述硅衬底的所述第一表面上形成三五族化合物层；在所述三五族化合物层中制备三五族化合物器件；对所述硅衬底的第二表面进行刻蚀工艺，以在所述硅衬底中形成暴露出所述三五族化合物层的沟槽，且所述沟槽位于所述三五族化合物器件的下方；利用离子注入工艺对所述沟槽底部暴露出的所述三五族化合物层注入强电负性离子；在所述沟槽底部和内壁形成钝化层。本发明的技术方案提供的半导体器件获得较高的击穿电压，实现了基于硅衬底的三五族化合物器件的生产。 | ||
| 申请公布号 | CN104599957A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201310533220.6 | 申请日期 | 2013.11.01 |
| 申请人 | 中航（重庆）微电子有限公司 | 发明人 | 袁理 |
| 分类号 | H01L21/265(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/265(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人 | 李仪萍 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制作方法，其特征在于，所述半导体器件的制作方法至少包括：提供硅衬底，所述硅衬底包括第一表面和与之相对的第二表面；在所述硅衬底的所述第一表面上形成三五族化合物层；在所述三五族化合物层中制备三五族化合物器件；对所述硅衬底的第二表面进行刻蚀工艺，以在所述硅衬底中形成暴露出所述三五族化合物层的沟槽，且所述沟槽位于所述三五族化合物器件的下方；利用离子注入工艺对所述沟槽底部暴露出的所述三五族化合物层注入强电负性离子；在所述沟槽底部和内壁形成钝化层。 | ||
| 地址 | 401331 重庆市沙坪坝区西永镇西永大道25号 | ||