一种带有IPD的TSV孔结构及其加工方法

摘要

本发明提供了一种带有IPD的TSV孔结构，采用传统的TSV工艺流程，通过结构设计，使得TSV孔的结构简单，在保证TSV孔简单成型的同时实现了电阻、电容、电感的TSV转接板结构，提高转接板性能，其包括硅晶圆体，其特征在于：所述硅晶圆体上设置有多个TSV通孔，所述TSV通孔内连同硅晶圆体表面沉积有绝缘层，所述TSV通孔中至少一个TSV通孔内设置有横向绝缘层，形成TSV通孔上下隔断，所述TSV通孔内电镀金属层，所述TSV通孔上的所述金属层上下端交错互连，所述硅晶圆体表面成型环状电镀金属层，所述环状电镀金属层与所述TSV通孔内电镀金属层互连，本发明同时提供了一种带有IPD的TSV孔结构的加工方法。

主权项

一种带有IPD的TSV孔结构，其包括硅晶圆体，其特征在于： 所述硅晶圆体上设置有多个TSV通孔，所述TSV通孔内连同硅晶圆体表面沉积有绝缘层，所述TSV通孔中至少一个TSV通孔内设置有横向绝缘层，形成TSV通孔上下隔断，所述TSV通孔内电镀金属层，所述TSV通孔上的所述金属层上下端交错互连，所述硅晶圆体表面成型环状电镀金属层，所述环状电镀金属层与所述TSV通孔内电镀金属层互连。