一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件

摘要

一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底、P型外延层，在P型外延层中形成有N型轻掺杂漏区和P阱，P阱的一侧和所述N型轻掺杂漏区的一侧相接触；在所述N型轻掺杂漏区中形成有N型重掺杂漏区；在所述P阱中形成有N型重掺杂源区，在P阱的另一侧形成有P型重掺杂引出区，P型重掺杂引出区穿过P型外延层与P型硅衬底相接触；在P阱上形成有栅氧化层，且栅氧化层的两个边界分别位于N型重掺杂源区及N型轻掺杂漏区的边界上方；在P型重掺杂引出区和N型重掺杂源区上连接有源极金属，在N型重掺杂漏区上连接有漏极金属，其特征在于，所述栅氧化层为阶梯状，在栅氧化层的下方设有N型掺杂区且所述N型掺杂区位于P阱中。

主权项

一种N型射频横向双扩散金属氧化物半导体器件，包括：P型衬底（1），在P型硅衬底（1）上形成有P型外延层（2）；在P型外延层（2）中形成有N型轻掺杂漏区（3）和P阱（4），且P阱（4）在所述N型轻掺杂漏区（3）的一侧，P阱（4）的一侧和所述N型轻掺杂漏区（3）的一侧相接触，在所述N型轻掺杂漏区（3）中形成有第一N型重掺杂漏区（5）；在所述P阱（4）中形成有第二N型重掺杂源区（6），在P阱（4）的另一侧形成有P型重掺杂引出区（7），P型重掺杂引出区（7）与N型重掺杂源区（6）和P阱（4）相接触，并穿过P型外延层（2）与P型硅衬底（1）相接触；在P阱（4）上形成有栅氧化层（8），且栅氧化层（8）的两个边界分别位于N型重掺杂源区（6）的边界及N型轻掺杂漏区（3）的边界上方，在栅氧化层（8）的表面形成有多晶硅栅（9）；在P型重掺杂引出区（7）和N型重掺杂源区（6）上连接有源极金属（11），在N型重掺杂漏区（5）上连接有漏极金属（12），源极金属（11）和漏极金属（12）分别通过场氧（10）与多晶硅栅（9）相隔离，其特征在于，所述栅氧化层（8）为阶梯状，在栅氧化层（8）的下方设有N型掺杂区（13）且所述N型掺杂区（13）位于P阱（4）中。