一种马赫-曾德尔硅光调制器

摘要

本发明公开了一种马赫-曾德尔硅光调制器，其特征在于：该硅光调制器包括光输入通道（1），与光输入通道（1）相连的多模干涉光分路器（3）、多模干涉光耦合器（4）、与多模干涉光耦合器（4）相连的光输出通道（2）、脊光波导（8），多模干涉光分路器（3）与多模干涉光耦合器（4）通过脊光波导（8）相连；该硅光调制器还包括位于脊光波导（8）两侧的阳极电极（5）和阴极电极（6），以及位于脊光波导（8）中的PN结相移臂（7）。本发明提高了等离子体色散效应对光场的作用区域，提升了单位长度相移臂的相移效率，从而减小了π相移臂长度，进而减小了器件的封装系数。

主权项

一种马赫‑曾德尔硅光调制器,该硅光调制器包括光输入通道(1)，与光输入通道(1)相连的多模干涉光分路器(3)、多模干涉光耦合器(4)、与多模干涉光耦合器(4)相连的光输出通道(2)、脊光波导(8)，多模干涉光分路器(3)与多模干涉光耦合器(4)通过脊光波导(8)相连；该硅光调制器还包括分别位于脊光波导(8)两侧的阳极电极(5)和阴极电极(6)，以及位于脊光波导(8)中的PN结相移臂(7)；其特征在于：PN结相移臂(7)为“田”型，即由4个PN结组成，包括第一P掺杂区(9)与第一N掺杂区(10)形成的PN结、第二P掺杂区(14)与第二N掺杂区(13)形成的PN结、第一P掺杂区(9)与第二N掺杂区(13)形成的PN结、第二P掺杂区(14)和第一N掺杂区(10)形成的PN结；“田”型PN结相移臂(7)中的4个PN结被本征硅层(17)分离；第一重P掺杂区(11)和第二重P掺杂区(16)分别引出电极短接作为阴极(6)；第一重N掺杂区(12)和第二重N掺杂区(15)分别引出电极短接作为阳极(5)。