| 发明名称 | 溅射靶、氧化物半导体薄膜及它们的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种溅射靶，其包含含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(Al)的氧化物，包含以In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>(ZnO)<sub>n</sub>(n为2～20)表示的同系结构化合物及以Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>表示的尖晶石结构化合物。 | ||
| 申请公布号 | CN104603323A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201380045405.0 | 申请日期 | 2013.10.16 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 江端一晃;但马望 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;C04B35/453(2006.01)I;C23C14/08(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种溅射靶，包含含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)及铝元素(Al)的氧化物，包含以In<sub>2</sub>O<sub>3</sub>(ZnO)<sub>n</sub>(n为2～20)表示的同系结构化合物及以Zn<sub>2</sub>SnO<sub>4</sub>表示的尖晶石结构化合物。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||