| 发明名称 | 纳米尺度的微细图形加工方法 | ||
| 摘要 | 一种纳米尺度的微细图形加工方法，包括步骤：将需要曝光的图形分为1微米以上图形和1微米以下图形两个部分；在衬底的材料层上形成第一光刻胶；使用激光直写图形发生器，将1微米以上图形曝光至第一光刻胶，显影形成第一光刻胶图形；以第一光刻胶图形为掩模，刻蚀材料层形成1微米以上的线条；在衬底的材料层上形成第二光刻胶；使用电子束曝光机，将1微米以下图形曝光至第二光刻胶，显影成第二光刻胶图形；以第二光刻胶图形为掩模，刻蚀材料层形成1微米以下的线条。依照本发明的纳米尺度的微细图形加工方法，针对1微米以上图形和1微米以下图形分别执行激光直写曝光和电子束曝光，可以快速、低成本的加工纳米尺度的微细图形。 | ||
| 申请公布号 | CN104597724A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201510061917.7 | 申请日期 | 2015.02.05 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 王冠亚;张凯;谢常青;李新涛;李友;张卫红;张建宏;邵鑫;路程;牛洁斌;张培文;刘明;龙世兵 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人 | 陈红 |
| 主权项 | 一种纳米尺度的微细图形加工方法，包括步骤：将需要曝光的图形分为1微米以上图形和1微米以下图形两个部分；在衬底的材料层上形成第一光刻胶；使用激光直写图形发生器，将1微米以上图形曝光至第一光刻胶，显影形成第一光刻胶图形；以第一光刻胶图形为掩模，刻蚀材料层形成1微米以上的线条；在衬底的材料层上形成第二光刻胶；使用电子束曝光机，将1微米以下图形曝光至第二光刻胶，显影成第二光刻胶图形；以第二光刻胶图形为掩模，刻蚀材料层形成1微米以下的线条。 | ||
| 地址 | 100029 北京市朝阳区北土城西路3# | ||