| 发明名称 | 径向纳米线江崎二极管装置和方法 | ||
| 摘要 | 径向纳米线二极管装置包括第一导电类型的半导体芯和不同于第一导电类型的第二导电类型的半导体壳。该装置可以是TFET或太阳能电池。 | ||
| 申请公布号 | CN104603952A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201380036099.4 | 申请日期 | 2013.07.05 |
| 申请人 | 昆南诺股份有限公司 | 发明人 | L-E.维尔纳松;E.林德;J.奥尔松;L.萨米尔松;M.比约克;C.舍兰德;A.迪 |
| 分类号 | H01L29/885(2006.01)I;B82Y10/00(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L31/0693(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/885(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 原绍辉;傅永霄 |
| 主权项 | 一种包括径向纳米线江崎二极管的装置，其中所述径向纳米线包括第一导电类型的半导体芯和不同于所述第一导电类型的第二导电类型的半导体壳。 | ||
| 地址 | 瑞典隆德 | ||