发明名称 一种防氧化集成电路封装结构
摘要 本实用新型涉及集成电路封装技术领域,尤其涉及一种防氧化集成电路封装结构,它包括架体外框、四个“Y”型卡盖和四个芯片;所述架体外框冲压成型有四个封装区,每个封装区均包括芯片座及设置于芯片座四周的导脚,每个芯片座均开设有散热凹台,散热凹台内设置有散热层,所述芯片放置于散热层上,每个芯片座外围均开设有插接口,四个“Y”型卡盖分别在一个封装区内盖住芯片后与对应的插接口插接,Y”型卡盖的中部开设有圆形通孔;所述架体外框在每个封装区四周冲压成型有裁切长孔所述架体外框的上下端面镀有防氧化镀金层;可同时封装多个芯片,降低成本,提高生产效率,保证封装质量,改善散热效果,避免产生氧化。
申请公布号 CN204315549U 申请公布日期 2015.05.06
申请号 CN201420781102.7 申请日期 2014.12.12
申请人 东莞矽德半导体有限公司 发明人 奚志成
分类号 H01L23/13(2006.01)I;H01L23/367(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I 主分类号 H01L23/13(2006.01)I
代理机构 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 代理人 王伟锋;刘铁生
主权项 一种防氧化集成电路封装结构,其特征在于:它包括架体外框(1)、四个“Y”型卡盖(3)和四个芯片(2);所述架体外框(1)冲压成型有四个封装区,每个封装区均包括芯片座(10)及设置于芯片座(10)四周的导脚(11),每个芯片座(10)均开设有散热凹台,散热凹台内设置有散热层(13),所述芯片(2)放置于散热层(13)上,每个芯片座(10)外围均开设有插接口,四个“Y”型卡盖(3)分别在一个封装区内盖住芯片(2)后与对应的插接口插接,“Y”型卡盖(3)的中部开设有圆形通孔(32);每个芯片(2)与对应的导脚(11)之间连接有导线(4);所述架体外框(1)在每个封装区四周冲压成型有裁切长孔(12),左右相邻及上下相邻两个封装区之间共有一个所述裁切长孔(12);所述架体外框(1)的上下端面镀有防氧化镀金层(14);所述每个封装区的上下端设置有封装胶体(5)。
地址 523000 广东省东莞市清溪镇第二工业区东莞矽德半导体有限公司