一种LED驱动电路

摘要

本发明提供一种LED驱动电路，其包括：电感L1、二极管D1、电容C1、功率开关、采样开关、电流采样电路和电流模控制电路，将电流采样电路和电流模控制电路设置于第一晶片中，将功率开关和采样开关设置于第二晶片中，第二晶片采用垂直沟槽栅工艺制造，第一晶片的制造工艺与第二晶片的不同。与现有技术相比，本发明中的LED驱动电路，将控制电路设置于一块晶片中，将功率开关和采样开关设置于另一块晶片中，并且将两个晶片封装在一起，采样垂直沟槽栅工艺制造功率开关和采样开关，这样可以实现成本更低、导通电阻更低且栅极电容更小的功率开关和采样开关。

主权项

一种LED驱动电路，其特征在于，其包括：电感L1、二极管D1、电容C1、功率开关、采样开关、电流采样电路和电流模控制电路，将电流采样电路和电流模控制电路设置于第一晶片中，将功率开关和采样开关设置于第二晶片中，第二晶片采用垂直沟槽栅工艺制造，第一晶片的制造工艺与第二晶片的不同，所述采样开关和所述功率开关均是NMOSEFT，所述采样开关的漏极连接所述电流采样电路，构成第二晶片的DS压焊区，所述采样开关的栅极与所述功率开关的栅极相连，构成第二晶片的G压焊区，并与所述电流模控制电路的输出端相连，所述功率开关的漏极接电感L1和二极管D1的中间节点，构成第二晶片的DN压焊区，所述采样开关的源极与所述功率开关的源极相连，构成第二晶片的S压焊区，并接地，所述功率开关和所述采样开关的结构相同，所述功率开关包括N+衬底，形成于N+衬底上方的N‑层，形成于N‑层上方的P‑阱，自P‑阱的上表面向下延伸至N‑层内的栅极，半围绕所述栅极以将所述栅极隔离的栅氧层，自P‑阱的上表面向下延伸至P‑阱内的N+有源区和P+有源区，其中N+有源区形成功率开关的源极，P+有源区形成功率开关的衬体连接端，N+衬底形成功率开关的漏极，P+表示P型重掺杂，P‑表示P型轻掺杂，N+表示N型重掺杂，N‑表示N型轻掺杂，在所述功率开关和所述采样开关之间形成有DP区域，所述DP区域自所述功率开关与所述采样开关之间的N‑层的上表面向下延伸至N+衬底的下表面，隔离N‑层和下部的N+层。