| 发明名称 | 闪存单元逻辑状态读取值的判断方法 | ||
| 摘要 | 本发明的闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，包括：提供一m行的闪存单元阵列，设定一固定电流I<sub>0</sub>；在每一行中选取若干个所述闪存单元作为参考单元，取所述参考单元的电流的平均值为该行的参考电流I<sub>ri</sub>，其中，i＝1，……，m；取第一比例的所述固定电流I<sub>0</sub>与第二比例的第i行的所述参考电流I<sub>ri</sub>相加的和为第i行的临界电流I<sub>i</sub>，当第i行的闪存单元的电流大于等于该行的临界电流I<sub>i</sub>时，判断所述闪存单元为第一逻辑状态，当第i行的所述闪存单元的电流小于该行的临界电流I<sub>i</sub>时，判断所述闪存单元为第二逻辑状态。本发明中，取第一比例的固定电流I<sub>0</sub>与第二比例的第i行的参考电流I<sub>ri</sub>相加的和为第i行的临界电流I<sub>i</sub>，减小负载效应对于闪存单元逻辑状态读取的影响。 | ||
| 申请公布号 | CN104599716A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201510052267.X | 申请日期 | 2015.01.31 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 高超 |
| 分类号 | G11C16/26(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/26(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种闪存单元逻辑状态读取值的判断方法，其特征在于，包括：提供一m行的闪存单元阵列，设定一固定电流I<sub>0</sub>；在每一行中选取若干个所述闪存单元作为参考单元，取所述参考单元的电流的平均值为该行的参考电流I<sub>ri</sub>，其中，i＝1，……，m；取第一比例的所述固定电流I<sub>0</sub>与第二比例的第i行的所述参考电流I<sub>ri</sub>相加的和为第i行的临界电流I<sub>i</sub>，当第i行的闪存单元的电流大于等于该行的临界电流I<sub>i</sub>时，判断所述闪存单元为第一逻辑状态，当第i行的所述闪存单元的电流小于该行的临界电流I<sub>i</sub>时，判断所述闪存单元为第二逻辑状态。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||