体钝化的晶体硅太阳能电池及其体钝化方法

摘要

本发明提供了一种用于体钝化晶体硅太阳能电池的方法，该晶体硅太阳能电池包括半导体结构以及分别位于该半导体结构的正反两面的钝化层，该半导体结构包括硼掺杂区域，该方法包括为该硼掺杂区域提供氢；在第一温度下对该晶体硅太阳能电池进行光注入达第一预定时段；以及在第二温度下对该晶体硅太阳能电池进行光注入达第二预定时段，其中该第二温度低于该第一温度。

主权项

一种用于体钝化晶体硅太阳能电池的方法，所述晶体硅太阳能电池包括半导体结构以及分别位于所述半导体结构的正反两面的钝化层，所述半导体结构包括硼掺杂区域，所述方法包括：为所述硼掺杂区域提供氢；在第一温度下对所述晶体硅太阳能电池进行光注入达第一预定时段；以及在第二温度下对所述晶体硅太阳能电池进行光注入达第二预定时段，其中所述第二温度低于所述第一温度。