一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法

摘要

本发明公开了一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，降低了电子能量。电子能量的降低不仅提高了量子阱捕获载流子效率还可以改善量子阱的温度特性，从而减小电子泄漏。本发明利用四元材料作为插入层，通过选择合适的材料组分，不仅使插入层带隙宽度降低，而且可以保持插入层的折射率和n型波导层折射率一致，避免了插入层的引入对光场分布的影响。因此，通过在n型波导层与有源区之间引入较厚的窄带隙插入层，大大改善了GaAs基激光器阈值电流、电光转换效率等性能。

主权项

一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器，包括：n型砷化镓(GaAs)衬底(10)；n型限制层(11)，形成于n型GaAs衬底(10)之上；n型波导层(12)，形成于n型限制层(11)之上；量子阱有源区(14)，形成于n型波导层(12)之上；p型波导层(15)，形成于量子阱有源区(14)之上；p型限制层(16)，形成于p型波导层(15)之上；p型接触层(17)，形成于p型限制层(16)之上；p型欧姆电极(18)，形成于p型接触层(17)之上；n型欧姆电极(19)，形成于砷化镓衬底(10)的背面；其特征在于，该砷化镓激光器还包括：插入层(13)，形成于n型波导层(12)与量子阱有源区(14)之间，该插入层(13)是窄带隙插入层，能够使注入到量子阱有源区(14)的电子能量降低。