| 发明名称 | FinFET电容器及其制造方法 | ||
| 摘要 | 公开了可以用与FinFET兼容的工艺制造的电容器。该电容器包括在基板上形成的鳍(506，508)，其中该鳍由电容器介电材料彼此分隔开。有相同的极性的鳍通过盖连接(510，512)互相连接。 | ||
| 申请公布号 | CN104603931A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201380045754.2 | 申请日期 | 2013.09.04 |
| 申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | R·张;L·G·舒亚-伊恩;S·顾 |
| 分类号 | H01L21/84(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L27/13(2006.01)I;H01L49/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/84(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 唐杰敏 |
| 主权项 | 一种电容器，包括：半导体基板；第一端子，包括布置在所述半导体基板的表面上的至少一个鳍；布置在所述至少一个鳍上的介电层；以及第二端子，包括与所述至少一个鳍紧邻且毗邻地布置的FinFET兼容的高K金属栅极。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||