发明名称 |
一种用于浅沟槽隔离结构的化学机械研磨方法 |
摘要 |
本发明公开了一种用于浅沟槽隔离结构的化学机械研磨方法,包括:利用具有第一选择比的研磨液进行研磨;利用具有第二选择比的研磨液进行研磨,直到研磨垫接触氮化硅层;利用具有第三选择比的研磨液进行预定时间的过研磨;用水清洗晶圆表面;其中,所述选择比为研磨液对二氧化硅的研磨速率与研磨液对氮化硅的研磨速率的比值,所述第二选择比高于所述第一选择比和第三选择比。本发明通过采用低选择比的研磨液完成过研磨工艺步骤,从而消除因应力损伤而造成的浅沟槽隔离结构凹陷缺陷,提高了集成电路制造的成品率。 |
申请公布号 |
CN102814727B |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201210287530.X |
申请日期 |
2012.08.13 |
申请人 |
无锡华润上华科技有限公司 |
发明人 |
李健 |
分类号 |
B24B37/00(2012.01)I;B24B37/34(2012.01)I |
主分类号 |
B24B37/00(2012.01)I |
代理机构 |
北京品源专利代理有限公司 11332 |
代理人 |
胡彬 |
主权项 |
一种用于浅沟槽隔离结构的化学机械研磨方法,包括:利用具有第一选择比的研磨液进行研磨,以去除覆盖整个晶圆表面的大部分二氧化硅填充层;利用具有第二选择比的研磨液进行研磨,以继续去除剩余的二氧化硅填充层,直到研磨垫接触氮化硅层,且在所述浅沟槽隔离结构交界处的二氧化硅填充层形成凹陷;利用具有第三选择比的研磨液进行预定时间的过研磨,以使得晶圆表面平坦化;用水清洗晶圆表面;其中,所述选择比为研磨液对二氧化硅的研磨速率与研磨液对氮化硅的研磨速率的比值,所述第二选择比高于所述第一选择比和第三选择比。 |
地址 |
214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号 |