半导体装置、半导体电路基板以及半导体电路基板的制造方法

摘要

本发明提供一种能够节减化合物半导体材料并且得到使用了化合物半导体的高性能的半导体元件的半导体装置、半导体电路基板及半导体电路基板的制造方法。半导体电路基板具有晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）。晶体管形成基板（10）是GaN基板，在表面形成BJT（40）。晶体管形成基板（10）的背面平滑，并且在背面具有接触区域。电路形成基板（50）由化合物半导体以外的材料形成，不具有半导体有源元件。电路形成基板（50）为平滑的表面，具有以在表面露出的方式埋入的接触区域（52、54）及无源电路（未图示）。晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）不插入绝缘膜等其他膜地直接接合。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具有：第一半导体基板，具有表面和背面，在所述表面具有化合物半导体层，在所述化合物半导体层上形成有半导体有源元件，所述背面是由半导体构成的平滑面，并且，在所述背面具有与所述半导体有源元件连接的电接合用的第一接触区域；以及第二半导体基板，由化合物半导体以外的材料形成，不具有半导体有源元件，并且具有平滑的表面、第二接触区域、以及无源电路，该平滑的表面由半导体构成，该第二接触区域以在所述表面露出的方式埋入，该无源电路以不在所述表面形成凹凸的方式埋入到内部或者在背面侧露出并且与所述第二接触区域连接，以使所述第一接触区域与所述第二接触区域连接的方式将所述第一半导体基板的所述平滑的所述背面在不在接合面插入其他膜的情况下直接地接合在所述平滑的所述表面。