直接浸泡反应式的泡沫镍-石墨烯三维多孔电极制备方法

摘要

本发明公开了一种直接浸泡反应式的泡沫镍-石墨烯三维多孔电极制备方法，包括：将泡沫镍依次采用冰醋酸、丙酮和乙醇进行清洗，然后将其通过去离子水清洗后晾干放置；制备质量浓度为0.5mg/mL～5mg/mL的氧化石墨烯水溶液，然后将泡沫镍直接浸泡到其中静置反应，并且在此浸泡过程中反应温度被控制为30℃～80℃，浸泡时间为2小时～6小时，由此形成三维多孔结构的泡沫镍-石墨烯产物。通过本发明，可以仅通过简单、便于操控的一个浸泡过程即可快速完成还原反应，并基于泡沫镍的基底增强效应在其表面上直接沉积生长石墨烯，最终形成三维多孔结构且高比表面积的产物，相应极大地提高了整体的反应速率，并尤其适用于大批量规模生产用途。

主权项

一种直接浸泡反应式的泡沫镍‑石墨烯三维多孔电极制备方法，其特征在于，该方法包括下列步骤：(a)将泡沫镍依次采用冰醋酸、丙酮和乙醇进行清洗，然后将其通过去离子水清洗后晾干放置；(b)制备质量浓度为0.5mg/mL～10mg/mL的氧化石墨烯水溶液，然后将步骤(a)处理后的泡沫镍直接浸泡到其中静置反应，并且在此浸泡过程中反应温度被控制为30℃～80℃，浸泡时间为2小时～12小时；以此方式，石墨烯在浸泡过程中发生还原反应，并在作为导电基底的泡沫镍表面上自发沉积生长为石墨烯，最终形成三维多孔结构的泡沫镍‑石墨烯产物。