| 发明名称 | 低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，于基板(10)上沉积非晶质状态的硅膜，形成非晶硅薄膜(30)；步骤2、采用光刻工艺将所述非晶硅薄膜(30)蚀刻成预定图案；步骤3、采用激光照射工艺对形成有预定图案的非晶硅薄膜(30)进行照射，将非晶硅转化为多晶硅，形成多晶硅薄膜(30a)；步骤4、将杂质注入多晶硅薄膜(30a)中，形成有源区(30b)；步骤5、于有源区(30b)上形成栅极绝缘膜(40)；该方法能够缩短从形成多晶硅薄膜到形成栅极绝缘膜之间的工艺流程和滞留时间，减小影响有源区质量的环境因素和流程因素，且不会造成氢爆，提高了低温多晶硅薄膜晶体管制程的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN104599973A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201410842446.9 | 申请日期 | 2014.12.30 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 李子健 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人 | 林才桂 |
| 主权项 | 一种低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一基板(10)，于所述基板(10)上沉积非晶质状态的硅膜，形成非晶硅薄膜(30)；步骤2、采用光刻工艺将所述非晶硅薄膜(30)蚀刻成预定图案；步骤3、采用激光照射工艺对所述形成有预定图案的非晶硅薄膜(30)进行照射，将非晶硅转化为多晶硅，形成多晶硅薄膜(30a)；步骤4、将杂质注入所述多晶硅薄膜(30a)中，形成有源区(30b)；步骤5、于所述有源区(30b)上形成栅极绝缘膜(40)。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 | ||