一种多芯片三维混合封装结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种多芯片三维混合封装结构及其制备方法，主要由下层芯片、芯片凸点、下层塑封体、电路层、粘片胶、上层芯片、焊线、上层塑封体和电极组成；所述下层塑封体包封下层芯片，下层芯片正面朝上，下层芯片带有的芯片凸点露出下层塑封体的表面；下层塑封体表面布线形成有电路层，电路层的走线区域通过粘片胶粘贴有上层芯片，焊线连接上层芯片与电路层，上层塑封体包封上层芯片、电路层和焊线；下层塑封体有通孔，通孔上部是电路层的电极金属，通孔填充有金属，形成电极。本发明工艺简单，封装集成度高，高可靠性，上下塑封体的结构可有效改善产品翘曲，可以大幅度提升了表面贴装良率。

主权项

一种多芯片三维混合封装结构，其特征在于，主要由下层芯片(3)、芯片凸点(4)、下层塑封体(5)、电路层(6)、粘片胶(7)、上层芯片(8)、焊线(9)、上层塑封体(10)和电极(12)组成；所述下层塑封体(5)包封下层芯片(3)，下层芯片(3)正面朝上，下层芯片(3)带有的芯片凸点(4)露出下层塑封体(5)的表面；下层塑封体(5)表面布线形成有电路层(6)，电路层(6)的走线区域通过粘片胶(7)粘贴有上层芯片(8)，焊线(9)连接上层芯片(8)与电路层(6)，上层塑封体(10)包封上层芯片(8)、电路层(6)和焊线(9)；下层塑封体(5)有通孔(11)，通孔(11)上部是电路层(6)的电极金属，通孔(11)填充有金属，形成电极(12)。