发明名称 |
有机发光装置及其制造方法 |
摘要 |
一种有机发光装置,包括:阳极;包括氧化物半导体并形成在所述阳极上的空穴充入层(HCL);形成在所述HCL上的至少一个有机层;和形成在所述有机层上的阴极。所述HCL可为包括铟(In)、镓(Ga)和锌(Zn)的氧化物半导体,或包括In、Zn和铪(Hf)的氧化物半导体。 |
申请公布号 |
CN102222772B |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201110079108.0 |
申请日期 |
2011.03.25 |
申请人 |
三星显示有限公司 |
发明人 |
金武谦;朴昶模 |
分类号 |
H01L51/50(2006.01)I;H01L51/54(2006.01)I;H01L51/56(2006.01)I |
主分类号 |
H01L51/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京德琦知识产权代理有限公司 11018 |
代理人 |
陈万青;王珍仙 |
主权项 |
一种有机发光装置,包括:阳极;所述阳极上的包括氧化物半导体的空穴充入层;形成在所述空穴充入层上的至少一个有机层;和形成在所述有机层上的阴极,其中所述空穴充入层为In、Ga和Zn的氧化物半导体,其中在In、Ga和Zn的所述氧化物半导体中,所述In、Ga和Zn的含量分别为30至50原子%,30至50原子%和10至35原子%,且所述氧化物半导体的价带能在所述阳极的功函和接触所述空穴充入层的所述有机层的最高占有分子轨道能之间。 |
地址 |
韩国京畿道 |