用于测定阱上金属镍硅化合物平面生长速率的结构及其方法

摘要

本发明提供一种用于测定阱上金属镍硅化合物平面生长速率的结构，以及利用这样的结构进行测定阱上金属镍硅化合物平面生长速率的方法。通过电子显微镜观察接触孔的亮暗强度，直接读出不同离子浓度的阱上金属镍硅化物在平面内的生长长度，再由工艺时间计算出反应的速率，并通过整个晶圆上不同位置的观察得到有量化数值的镍金属硅化物生长速率分布图，从而更好的控制该工艺的质量。

主权项

一个用于测定阱上金属镍硅化合物平面生长速率的结构，包括一有源区，其特征在于，所述有源区上设有离子阱，所述离子阱上设有金属镍硅化合物，所述金属镍硅化合物上面设有第一接触孔，所述有源区上设有第二接触孔，所述第二接触孔内不存在金属镍硅化合物。