发明名称 |
一种在大晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体的方法 |
摘要 |
一种在大晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体的方法,属于半导体材料制备技术领域。本发明是在生长锑化物半导体前,以其他物理沉积(如磁控溅射)薄膜制备技术预先在硅衬底上沉积铝(或AlSb)薄层。再将样品加载在MOCVD系统中外延生长。生长开始前只通入Sb有机源,然后在位退火,使铝(或AlSb)薄层锑化,形成稳定的AlSb缓冲层结构。当锑化物生长开始时,已经存在的AlSb缓冲层结构将提升锑化物半导体层覆盖度。整个生长过程没有在MOCVD系统中引入有机铝源,避免了设备的铝污染。该方法不仅可以提升锑化物在大晶格失配衬底上的表面覆盖度,而且可以避免铝源在设备中的记忆效应。 |
申请公布号 |
CN104593772A |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201410843205.6 |
申请日期 |
2014.12.30 |
申请人 |
吉林大学 |
发明人 |
张宝林;王连锴;吕游;刘仁俊 |
分类号 |
C23C28/00(2006.01)I;C23C14/34(2006.01)I;C23C16/18(2006.01)I;H01L21/20(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I |
主分类号 |
C23C28/00(2006.01)I |
代理机构 |
长春吉大专利代理有限责任公司 22201 |
代理人 |
张景林;王恩远 |
主权项 |
一种在大晶格失配基底上异质外延生长锑化物半导体的方法,其步骤如下:(1)以800~1000w的直流磁控溅射功率,在Si衬底上溅射30~60nm厚的铝层或锑化铝层,溅射完成后冷却衬底至室温;(2)将溅射铝层的Si衬底载入到MOCVD反应室中,在200~300mbar、500~600℃的条件下,以氢气为载气,通入TESb有机源30~60s,使铝层锑化,得到锑化铝层;(3)在MOCVD反应室中,在650~800℃条件下原位退火2~3分钟,使步骤(2)得到的锑化铝层或步骤(1)直接得到的锑化铝层形成稳定的岛状锑化铝缓冲结构;(4)在MOCVD反应室中,在500~600℃、200~300mbar条件下,以氢气为载气,同时输入气相的TESb有机源和TMGa有机源20~30min,从而在岛状锑化铝缓冲结构的表面得到厚度为0.3~0.7微米的GaSb薄膜层。 |
地址 |
130012 吉林省长春市前进大街2699号 |