| 发明名称 | 金属键合对准监控结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种金属键合对准监控结构，包括：多个第一对准标记块，所述多个第一对准标记块均匀分布于一第一硅片的上表面；至少一个第二对准标记块，所述第二对准标记块位于一第二硅片上表面；所述第一硅片和第二硅片键合在一起，其中，所述第一硅片的上表面面向所述第二硅片的上表面；所述多个第一对准标记块与所述第二对准标记块均为导电对准块。键合，使得所述第二对准标记块至少与一个所述第一对准标记块相接触，通过监测所述第二对准标记块与每个所述第一对准标记块之间的电流大小，判断所述第二对准标记块是否与所述第一硅片上中心的第一对准标记块是否键合，并确定所述第一硅片与所述第二硅片的偏移方向及偏移位移。 | ||
| 申请公布号 | CN204315526U | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201520009969.5 | 申请日期 | 2015.01.07 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 陈政;刘煊杰;张海芳;包德军;李新;王伟 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种金属键合对准监控结构，其特征在于，包括：多个第一对准标记块，所述多个第一对准标记块均匀分布于一第一硅片的上表面；以及至少一个第二对准标记块，所述第二对准标记块位于一第二硅片上表面；所述第一硅片和第二硅片键合在一起，其中，所述第一硅片的上表面面向所述第二硅片的上表面；所述多个第一对准标记块与所述第二对准标记块均为导电对准块。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区（亦庄）文昌大道18号 | ||