掩模型只读存储器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种掩模型只读存储器，有源区和位线都呈纵向排列，字线和接地线都呈横向排列。通过对NMOS存储单元的源区是否进行N型重掺杂来对该单元进行0和1编程，所有漏区和同一位线相连的NMOS存储单元都形成于同一有源区中，相邻的NMOS存储单元的漏区都共用同一重掺杂区；相邻的NMOS存储单元的源区相接触且相邻的源区通过同一接触孔连接到接地线。本发明还公开了一种掩模型只读存储器的制造方法。本发明能降低器件的面积、提高器件的集成度、降低工艺成本。

主权项

一种掩模型只读存储器，其特征在于：掩模型只读存储器形成于硅衬底上，在所述硅衬底上形成浅沟槽场氧隔离结构，由所述浅沟槽场氧隔离出多个有源区；所述掩模型只读存储器的阵列结构包括多个纵向排列的位线、多个横向排列的字线以及多个横向排列的接地线；各所述有源区为条形结构且纵向平行排列，每一个所述有源区和一个所述位线对应；在所述有源区中形成有P阱；所述掩模型只读存储器的NMOS存储单元形成于所述有源区中，且每一个所述有源区中形成有多个所述NMOS存储单元；对于各所述NMOS存储单元都包括：源区、漏区和栅极结构，所述栅极结构包括依次形成于所述有源区表面的栅介质层、多晶硅栅和栅极硬掩膜层；所述源区和所述漏区和所述多晶硅栅自对准，被所述多晶硅栅所覆盖的所述有源区表面用于形成沟道，所述沟道的方向和所述位线方向相同；各所述NMOS存储单元的漏区都为N型重掺杂；所述NMOS存储单元所存储的信息包括信息1和信息0两种，信息1所对应的所述NMOS存储单元的源区保持为所述P阱的掺杂结构，信息0所述对应的所述NMOS存储单元的源区为N型重掺杂；对于各相邻的所述NMOS存储单元的结构关系有：当前所述NMOS存储单元的所述漏区和前一个所述NMOS存储单元的所述漏区共用同一个N型重掺杂区，当前所述NMOS存储单元的所述漏区和前一个所述NMOS存储单元的所述漏区都通过同一漏极接触孔连接到所对应的所述位线；当前所述NMOS存储单元的所述源区和下一个所述NMOS存储单元的所述源区相接触，当前所述NMOS存储单元的所述源区和下一个所述NMOS存储单元的所述源区都通过同一个源极接触孔连接到所对应的所述接地线；各所述NMOS存储单元的所述多晶硅栅都通过一个栅极接触孔连接到对应的字线。