| 发明名称 | 晶体氧化铈及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及以一种简单、经济、和有效率的方式制备的晶体氧化铈，其晶体结构、形状，和尺寸可以被轻松地调节且其展示出优异的抛光性能，以及涉及它的制备方法。该晶体氧化铈可以被制备为亚微米级晶体氧化铈，其具有在预定范围内的平均体积直径和直径标准偏差。 | ||
| 申请公布号 | CN102884002B | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201180023381.X | 申请日期 | 2011.03.09 |
| 申请人 | 株式会社LG化学 | 发明人 | 崔相洵;曹升范;河贤哲;郭益淳;赵俊衍 |
| 分类号 | C01F17/00(2006.01)I;C09K3/14(2006.01)I | 主分类号 | C01F17/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京北翔知识产权代理有限公司 11285 | 代理人 | 苏萌;钟守期 |
| 主权项 | 一种制备晶体氧化铈的方法，其包括以下步骤：使(Ce,La)<sub>2</sub>(CO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>·8(H<sub>2</sub>O)在50℃至300℃下反应来制备碳酸铈基化合物；在300至1500℃下热处理该碳酸铈基化合物来制备氧化铈；和粉碎该氧化铈。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||