| 发明名称 | 808nm平顶光场大功率激光器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种808nm平顶光场大功率激光器，涉及半导体激光器技术领域；包括衬底以及在衬底上从下至上依次生长的缓冲层、下限制层、下光场作用层、下波导层、量子阱层、上波导层、上光场作用层、上限制层和电极接触层，所述下光场作用层采用高掺杂的N型AlGaAs材料，上光场作用层采用高掺杂的P型AlGaAs材料。本发明快轴光场顶部分布均匀，能够进一步降低有源区光功率密度，提高激光器的可靠性和耐用性。 | ||
| 申请公布号 | CN104600562A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201510055185.0 | 申请日期 | 2015.02.03 |
| 申请人 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | 发明人 | 宁吉丰;陈宏泰;车相辉;王彦照;林琳;位永平;王晶 |
| 分类号 | H01S5/323(2006.01)I;H01S5/20(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/323(2006.01)I |
| 代理机构 | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人 | 米文智 |
| 主权项 | 一种808nm平顶光场大功率激光器，包括衬底（1）以及在衬底（1）上从下至上依次生长的缓冲层（2）、下限制层（3）、下光场作用层（4）、下波导层（5）、量子阱层（6）、上波导层（7）、上光场作用层（8）、上限制层（9）和电极接触层（10），其特征在于所述下光场作用层（4）采用高掺杂的N型AlGaAs材料，上光场作用层（8）采用高掺杂的P型AlGaAs材料。 | ||
| 地址 | 050051 河北省石家庄市合作路113号 | ||