发明名称 |
位移传感器 |
摘要 |
公开了位移传感器,其基于当膜片经历位移时作用于该膜片上的力的力矩、测量根据装置的微小变形的多种装置的位移。该位移传感器包括感测本体和信号处理单元。该感测本体包括提供在其下表面的附连应变仪的膜片,和正交固定在其上表面的中心的输入杆,位移被传递到该输入杆。该信号处理单元基于该应变仪的输出值产生电信号,该应变仪的输出值对应于由该输入杆的力矩引起的该膜片的应变。 |
申请公布号 |
CN102395857B |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201080017264.8 |
申请日期 |
2010.03.09 |
申请人 |
安普泰科电子韩国有限公司 |
发明人 |
李喆燮;卞乙出;金范奎;金荣德 |
分类号 |
G01B7/16(2006.01)I;G01L1/22(2006.01)I;G01D5/16(2006.01)I |
主分类号 |
G01B7/16(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
张金金;王忠忠 |
主权项 |
一种位移传感器,其包括:感测本体,其包括:提供在所述感测本体的下表面的膜片,;以及正交固定在所述感测本体的上表面的中心的输入杆,位移被传递到该输入杆;应变仪附连到该膜片,以及基于所述应变仪的输出值产生电信号的信号处理单元,所述应变仪的输出值对应于由所述输入杆对所述上表面的中心所施加的力矩所引起的所述膜片的应变,所述应变仪附连到平行于力矩产生方向并且通过所述膜片的中心的虚线,并且包括顺次附连的第一压电电阻元件、第二压电电阻元件、第三压电电阻元件和第四压电电阻元件,所述第一和第二压电电阻元件分别与所述第三和第四压电电阻元件对称;并且所述信号处理单元通过使用下列方程产生对应于所述膜片的应变的电信号;<img file="2010800172648100001dest_path_image001.GIF" wi="195" he="41" />其中,K是比例常数,并且ε<sub>1</sub>至ε<sub>4</sub>是由所述第一至第四压电电阻元件测量的应变值。 |
地址 |
韩国庆山市 |