| 发明名称 | InGaN太阳能电池及其制作方法 | ||
| 摘要 | 一种InGaN太阳能电池及其制作方法，包括：一衬底；一GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台面；一GaN保护层制作在本征InGaN吸收层上；一P型GaN层制作在低温GaN保护层上；一P型GaN欧姆接触层制作在P型GaN层上；一电流扩展层制作在P型GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极制作在电流扩展层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型GaN欧姆接触层的台面上。本发明具有提高InGaN太阳能电池效率的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102832272B | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201210319268.2 | 申请日期 | 2012.08.31 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 李亮;赵德刚;江德生;刘宗顺;陈平;吴亮亮;乐伶聪;杨辉 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 汤保平 |
| 主权项 | 一种InGaN太阳能电池，包括：一衬底；一GaN缓冲层，该GaN缓冲层制作在衬底上；一N型GaN欧姆接触层，该N型GaN欧姆接触层制作在GaN缓冲层上；一本征InGaN吸收层，该本征InGaN吸收层制作在N型GaN欧姆接触层上面的一侧，N型GaN欧姆接触层的另一侧形成一台面；一GaN保护层，该GaN保护层制作在本征InGaN吸收层上；一P型GaN层，该P型GaN层制作在低温GaN保护层上；一P型GaN欧姆接触层，该P型GaN欧姆接触层制作在P型GaN层上；一电流扩展层，该电流扩展层制作在P型GaN欧姆接触层上；一P型欧姆接触电极，该P型欧姆接触电极制作在电流扩展层上；一N型欧姆接触电极，该N型欧姆接触电极制作在N型GaN欧姆接触层的台面上。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||