基板处理装置

摘要

本发明涉及一种基板处理装置；更详细地说，涉及一种利用等离子体的基板处理装置。根据本发明一实施例的基板处理装置包括：腔室、支撑单元、电介质组件以及等离子体源。本发明的基板处理装置通过采用非金属加热器，能够使施加于上部天线的RF耦合效应最小化；并且能够考虑到天线的形状，而对加热区域进行个别的体现，从而具有能够使天线下部的发热部位和其它区域的温度梯度相适应的极佳的效果。

主权项

一种基板处理装置，包括：腔室，其内部具有上面开放的处理空间，支撑单元，其配置于所述腔室内，用于支撑基板，电介质组件，其配置于所述腔室的开放的上面，并覆盖所述开放的上面，以及等离子体源，其位于所述电介质组件的上侧，并具有由供给至所述腔室内的气体产生等离子体的天线；其中，所述电解质组件包括：电介质窗；以及加热单元，其由非金属材质构成，配置于电介质窗的上部面，用于对所述电介质窗进行加热。