| 发明名称 | 形成于半导体衬底中的绝缘结构和形成绝缘结构的方法 | ||
| 摘要 | 形成于半导体衬底中的绝缘结构和形成绝缘结构的方法。一种用于形成在半导体主体中的绝缘结构的方法包括形成从第一表面延伸到半导体主体内的沟槽，所述沟槽在所述半导体主体的水平方向上具有第一宽度；以及形成在所述半导体主体的垂直方向上与所述第一表面间隔开的空隙，所述空隙在水平方向上具有比所述第一宽度更大的第二宽度，其中，所述沟槽和所述空隙被布置为在所述垂直方向上邻近于彼此。 | ||
| 申请公布号 | CN104600021A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201410599654.0 | 申请日期 | 2014.10.31 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | M.莱姆克;R.鲁道夫;R.魏斯 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 蒋骏;胡莉莉 |
| 主权项 | 一种用于形成绝缘结构的方法，所述方法包括：形成从第一表面延伸到半导体主体内的沟槽，所述沟槽在所述半导体主体的水平方向上具有第一宽度；以及在所述半导体主体的垂直方向上形成与所述第一表面间隔开的空隙，所述空隙在水平方向上具有比所述第一宽度更大的第二宽度，其中，所述沟槽和所述空隙被布置为在所述垂直方向上邻近于彼此。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||