发明名称 一种SiNCB陶瓷材料的制备方法
摘要 一种SiNCB陶瓷材料的制备方法,涉及一种陶瓷材料的制备方法。本发明是要解决现有方法制备的SiNCB陶瓷材料容易析晶,高温下不稳定的问题。方法:一、将氮源、硅源、缚酸剂和溶剂放入具有惰性气体保护的反应器中,室温条件下反应;二、将反应产物真空抽滤,与硼烷四氢呋喃混合,放入反应器中反应;三、向反应器中加入三氯化硼正己烷溶液,反应后升温至室温;四、将产物抽滤,真空旋转蒸发,得到陶瓷前驱体;五、将陶瓷前驱体放入管式炉中,热解,随炉冷却至室温,即得到SiNCB陶瓷材料。在1450℃下具有优良的抗氧化性,可长期使用不分解,不晶化。本发明应用于硅基陶瓷材料领域。
申请公布号 CN104591741A 申请公布日期 2015.05.06
申请号 CN201510086371.0 申请日期 2015.02.17
申请人 哈尔滨工业大学 发明人 杨治华;张茜;蔡德龙;贾德昌;周玉
分类号 C04B35/58(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I 主分类号 C04B35/58(2006.01)I
代理机构 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 代理人 侯静
主权项 一种SiNCB陶瓷材料的制备方法,其特征在于该方法按以下步骤进行:一、将氮源、硅源、缚酸剂和溶剂放入具有惰性气体保护的反应器中,室温条件下反应16h,其中氮源和硅源的摩尔比为1~2:1,硅源和溶剂的摩尔比为1:1~5,硅源和缚酸剂的摩尔比为2:1;二、将步骤一的反应产物进行真空抽滤,将抽滤后的液体与2mol/L的硼烷四氢呋喃按照1:1的摩尔比混合,放入具有惰性气体保护的反应器中,在0℃的条件下反应12h;三、然后向反应器中加入1mol/L的三氯化硼正己烷溶液,反应器中的产物与三氯化硼正己烷溶液的摩尔比为1:3,在0℃的条件下反应12h后升温至室温;四、将步骤三得到的产物进行抽滤,将所得滤液进行真空旋转蒸发处理,得到的粘稠状液体即为SiNCB陶瓷前驱体;五、将SiNCB陶瓷前驱体放入管式炉中,在氩气或者氮气气氛下进行热解,然后随炉冷却至室温,即得到SiNCB陶瓷材料。
地址 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号