制造垂直沟道晶体管的方法

摘要

本发明公开了一种制造垂直沟道晶体管的方法。该方法包括：在衬底上形成线型有源图案从而在第一水平方向上延伸；在衬底上形成垂直沟道，该垂直沟道在与第一水平方向交叉的第二水平方向上使有源图案隔离，且该垂直沟道垂直地延伸；在衬底上形成在第一水平方向上延伸的掩埋位线；以及沿垂直沟道的至少一个侧表面形成在第二水平方向上延伸的字线。

主权项

一种制造垂直沟道晶体管的方法，包括：在衬底上形成具有线型的有源图案，从而在第一水平方向上延伸；通过在与所述第一水平方向交叉的第二水平方向上的切割中隔离所述有源图案来形成垂直沟道，该垂直沟道在所述衬底上垂直地延伸；在所述衬底上形成在所述第一水平方向上延伸的掩埋位线；以及沿所述垂直沟道的至少一个侧表面形成在所述第二水平方向上延伸的字线，其中形成所述有源图案包括：在所述衬底上形成在所述第一水平方向上延伸的第一沟槽；以及用第一绝缘层填充所述第一沟槽以形成在所述第一水平方向上延伸的有源条；其中形成所述掩埋位线包括：在形成所述垂直沟道之前，通过在所述第一水平方向上切割所述第一绝缘层，形成与所述有源条的至少一个侧表面偏移的掩埋位线图案，使得所述有源条的位于所述掩埋位线图案下方的部分突出至所述掩埋位线图案的两个内侧壁之间；在所述掩埋位线图案的内侧壁上形成衬层；通过去除所述有源条的不被所述衬层保护的一部分，在所述掩埋位线图案之下形成镶嵌掩埋位线图案；以及形成金属化合物掩埋位线，所述金属化合物掩埋位线在镶嵌掩埋位线图案中在所述第一水平方向上延伸并电连接到所述有源条的至少一个侧表面。