一种基于逻辑保护射极耦合电路与激发式逻辑电路的控制系统

摘要

本实用新型公开了一种基于逻辑保护射极耦合电路与激发式逻辑电路的控制系统，主要由场效应管MOS，非门IC1，非门IC3，非门IC4，输入端与非门IC1的输出端相连接的非门IC2，与非门IC2的输出端相连接的滤波延迟电路，与非门IC1的输入端相连接的一级滤波电路，与非门IC3的输入端相连接二级滤波电路等组成，其特征在于，在场效应管MOS的源极与滤波延迟电路之间串接有光束激发式逻辑放大电路，而在场效应管MOS的源极与电阻R3的电路上则串接有逻辑保护射极耦合式放大电路。本实用新型的整体结构简单，其制作和使用非常方便。同时，本实用新型完全采用逻辑电子元件来实现其逻辑控制功能，因此其能耗非常低，运算速度快。

主权项

一种基于逻辑保护射极耦合电路与激发式逻辑电路的控制系统，主要由场效应管MOS，非门IC1，非门IC3，非门IC4，输入端与非门IC1的输出端相连接的非门IC2，与非门IC2的输出端相连接的滤波延迟电路，与非门IC1的输入端相连接的一级滤波电路，与非门IC3的输入端相连接二级滤波电路，与非门IC4的输出端相连接的异或门电路，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与非门IC1的输出端相连接的电阻R3，一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与异或门电路相连接的电阻R5，正极与场效应管MOS的栅极相连接、其负极与非门IC3的输出端相连接的电容C3，以及一端与场效应管MOS的漏极相连接、另一端接地的电阻R9组成，其特征在于，在场效应管MOS的源极与滤波延迟电路之间串接有光束激发式逻辑放大电路，而在场效应管MOS的源极与电阻R3的电路上则串接有逻辑保护射极耦合式放大电路；该光束激发式逻辑放大电路主要由功率放大器P1，与非门IC6，与非门IC7，与非门IC8，负极与功率放大器P1的正极输入端相连接、正极经光二极管D5后接地的极性电容C6，一端与极性电容C6的正极相连接、另一端经二极管D6后接地的电阻R10，正极与电阻R10和二极管D6的连接点相连接、负极与场效应管MOS的源极相连接的极性电容C8，一端与与非门IC6的负极输入端相连接、另一端与功率放大器P1的正极输入端相连接的电阻R11，串接在功率放大器P1的负极输入端与输出端之间的电阻R12，一端与与非门IC6的输出端相连接、另一端与与非门IC8的负极输入端相连接的电阻R13，正极与与非门IC7的输出端相连接、负极与与非门IC8的负极输入端相连接的电容C7，以及一端与极性电容C8的正极相连接、另一端与与非门IC7的负极输入端相连接的电阻R14组成；所述与非门IC6的正极输入端与功率放大器P1的负极输入端相连接，其输出端与与非门IC7的正极输入端相连接，与非门IC8的正极输入端与功率放大器P1的输出端相连接；所述功率放大器P1的正极输入端则与滤波延迟电路相连接，与非门IC7的负极输入端还与非门IC4的输出端相连接；所述逻辑保护射极耦合式放大电路主要由三极管Q1，三极管Q2，功率放大器P2，功率放大器P3，串接在功率放大器P2的负极输入端与输出端之间的电阻R16，串接在功率放大器P3的正极输入端与输出端之间的极性电容C11，串接在功率放大器P2的正极输入端与三极管Q1的集电极之间的电阻R15，串接在三极管Q1的集电极与三极管Q2的基极之间的电阻R17，与电阻R17相并联的电容C10，负极与功率放大器P2的正极输入端相连接、正极经电阻R18后与三极管Q1的发射极相连接的极性电容C9，串接在三极管Q2的基极与极性电容C9的正极之间的电阻R19，正极与三极管Q2的发射极相连接、负极顺次经稳压二极管D7和电阻R20后与功率放大器P2的输出端相连接的电容C12，P极与功率放大器P3的输出端相连接、N极经电阻R22和电阻R21后与稳压二极管D7与电阻R20的连接点相连接的二极管D8，以及P极与电容C12的负极相连接、N极与二极管D8与电阻R22的连接点相连接的稳压二极管D9组成；所述三极管Q1的基极与极性电容C9的正极相连接，其发射极与三极管Q2的发射极相连接，其集电极与功率放大器P2的负极输入端相连接；三极管Q2的集电极与功率放大器P3的负极输入端相连接，功率放大器P3的正极输入端与功率放大器P2的输出端相连接；所述极性电容C9的正极与场效应管MOS的栅极相连接，而电阻R22与电阻R21的连接点则经电阻R3后与非门IC1的输出端相连接。