发明名称 |
一种可实现三态非易失性调制的电感及其调制方法 |
摘要 |
本发明提出了一种三态非易失性电压脉冲调制的电感及其实现三种不同电感量的调制方法,属于电子器件技术领域。可实现三态非易失性调制的电感包括含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片、金属电极、非晶软磁合金带材磁性薄膜和漆包线,所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片是通过对多晶PZT陶瓷基片进行受主掺杂后,再经过极化和老化处理得到。通过对PZT基片的上下电极施加电压脉冲,在去掉外电压后,可在非晶软磁合金带材磁性薄膜中产生三种非易失性的转变状态,从而实现电感量的调控。该调控方法操作简单,性能优良,能耗低,在各种需要通过电感实现的滤波、调谐、阻抗匹配等功能电子电路系统中有广阔的应用前景。 |
申请公布号 |
CN104599826A |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201510013106.X |
申请日期 |
2015.01.09 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
唐晓莉;张肇吉;苏桦;荆玉兰;钟智勇;张怀武 |
分类号 |
H01F37/00(2006.01)I;H01F27/24(2006.01)I;H01F1/153(2006.01)I;C04B35/491(2006.01)I;H01F41/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01F37/00(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
李明光 |
主权项 |
一种可实现三态非易失性调制的电感,包括多晶PZT陶瓷基片、金属电极、非晶软磁合金带材和漆包线,其特征在于,所述多晶PZT陶瓷基片为含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片,所述含有缺陷偶极子的多晶PZT陶瓷基片是通过对多晶PZT陶瓷基片进行受主掺杂后,再经过极化和老化处理后得到。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |