| 发明名称 | 晶圆级封装的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种晶圆级封装的制造方法，包括以下步骤：在第一芯片上形成光刻胶；在光刻胶上形成多个开口部，露出第一芯片的功能面；在多个第一芯片的功能面上形成凸点下金属层；去除第一芯片上的光刻胶；将第二芯片的功能凸点与第一芯片上的一部分所述凸点下金属层连接；在第一芯片和所述第二芯片之间形成填充层；在第一芯片上的另一部分的凸点下金属层上植焊球，焊球的顶部高于第二芯片的顶部。本发明在第一芯片上形成凸点下金属层，一部分凸点下金属层上植焊球，另一部分上设置第二芯片，由此组成的芯片结构在后续倒装工艺中，利用了第一芯片上的焊球与第二芯片形成的高度差，在倒装时不会损坏第二芯片，降低了加工过程中的风险。 | ||
| 申请公布号 | CN104599980A | 申请公布日期 | 2015.05.06 |
| 申请号 | CN201410844697.0 | 申请日期 | 2014.12.30 |
| 申请人 | 南通富士通微电子股份有限公司 | 发明人 | 丁万春 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙) 11435 | 代理人 | 孟阿妮;郭栋梁 |
| 主权项 | 一种晶圆级封装的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：在第一芯片上形成光刻胶；在所述光刻胶上形成多个开口部，露出所述第一芯片的功能面；在多个第一芯片的功能面上形成凸点下金属层；去除第一芯片上的光刻胶；将所述第二芯片的功能凸点与第一芯片上的一部分所述凸点下金属层连接；在所述第一芯片和所述第二芯片之间形成填充层；在所述第一芯片上的另一部分的所述凸点下金属层上植焊球，所述焊球的顶部高于所述第二芯片的顶部。 | ||
| 地址 | 226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 | ||