发明名称 |
栅极驱动电路、具有栅极驱动电路的开关设备和电源设备 |
摘要 |
公开了一种栅极驱动电路、具有栅极驱动电路的开关设备和电源设备。栅极驱动电路可包括:偏置单元,接收具有预设高电平和预设低电平的输入信号,包括第一N-MOSFET和第一P-MOSFET,并且偏置单元通过第一N-MOSFET和第一P-MOSFET的导通供应偏置功率;放大单元,包括第二N-MOSFET和第二P-MOSFET,其中,第二N-MOSFET通过接收从在输入信号具有预设高电平时导通的第一N-MOSFET供应的偏置功率而导通,第二P-MOSFET通过接收从在输入信号具有预设低电平时导通的第一P-MOSFET供应的偏置功率而导通,并且放大单元根据第二N-MOSFET和第二P-MOSFET的导通提供栅极信号。 |
申请公布号 |
CN104600966A |
申请公布日期 |
2015.05.06 |
申请号 |
CN201410601840.3 |
申请日期 |
2014.10.31 |
申请人 |
三星电机株式会社;首尔市立大学校产学协力团 |
发明人 |
车霜贤;朴得熙;李演重;崔仲镐;柳济贤;刘弦宣;李昌锡 |
分类号 |
H02M1/088(2006.01)I;H02M3/335(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/088(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
曾世骁;韩明星 |
主权项 |
一种栅极驱动电路,包括:偏置单元,接收具有预设高电平和预设低电平的输入信号,包括第一N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管N‑MOSFET和第一P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管P‑MOSFET,其中,第一N‑MOSFET在输入信号具有预设高电平时被导通,第一P‑MOSFET在输入信号具有预设低电平时被导通,并且偏置单元通过第一N‑MOSFET和第一P‑MOSFET的导通来供应偏置功率;放大单元,包括第二N‑MOSFET和第二P‑MOSFET,其中,第二N‑MOSFET通过接收从当输入信号具有预设高电平时导通的第一N‑MOSFET供应的偏置功率而被导通,第二P‑MOSFET通过接收从当输入信号具有预设低电平时导通的第一P‑MOSFET供应的偏置功率而被导通,并且放大单元根据第二N‑MOSFET和第二P‑MOSFET的导通来提供栅极信号。 |
地址 |
韩国京畿道水原市 |